RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
54
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.6
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
10.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
2432
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link