RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
54
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2432
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link