RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
54
Rund um -86% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.9
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
15.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
3501
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link