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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
54
左右 -86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
29
读取速度,GB/s
9.2
17.9
写入速度,GB/s
8.1
15.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3501
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
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