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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
54
119
Rund um 55% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
1.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
2.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
119
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
1.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
2.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
447
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
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Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB RAM-Vergleiche
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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