RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
54
Rund um -69% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
9.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
6.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
2017
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link