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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
54
左右 -69% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
32
读取速度,GB/s
9.2
9.2
写入速度,GB/s
8.1
6.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2017
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Catalyst 256NU8 256MB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
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