RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
10
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
104
Rund um -247% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
2,404.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
8.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2234
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link