Comparaison de la RAM Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Note globale

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

30 104

Autour de -247% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

8.5 2,404.5

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

17000 6400

Autour de 2.66 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

no data 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

786 2234

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns