Confronto tra le RAM Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Punteggio complessivo

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

30 104

Intorno -247% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

8.5 2,404.5

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

17000 6400

Intorno 2.66 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock

no data 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

786 2234

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns