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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Inmos + 256MB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Inmos + 256MB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Inmos + 256MB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Inmos + 256MB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
104
Rund um -247% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
2,404.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
16800
6400
Rund um 2.63 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Inmos + 256MB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
11.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
9.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
16800
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2318
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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