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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Inmos + 256MB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Inmos + 256MB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Inmos + 256MB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Inmos + 256MB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
104
Autour de -247% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
2,404.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
16800
6400
Autour de 2.63 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Inmos + 256MB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
11.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
16800
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2318
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Inmos + 256MB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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