RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Inmos + 256MB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Inmos + 256MB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Inmos + 256MB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Inmos + 256MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
104
Около -247% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.1
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
16800
6400
Около 2.63 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Inmos + 256MB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
11.5
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
16800
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
no data
no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2318
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Inmos + 256MB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Inmos + 256MB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link