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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Inmos + 256MB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Inmos + 256MB

Pontuação geral
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Pontuação geral
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Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    3 left arrow 11.5
    Valor médio nos testes
Inmos + 256MB Razões a considerar
Inmos + 256MB
Relatar um erro
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    30 left arrow 104
    Por volta de -247% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.1 left arrow 2,404.5
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    16800 left arrow 6400
    Por volta de 2.63 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Inmos + 256MB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    104 left arrow 30
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,192.0 left arrow 11.5
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,404.5 left arrow 9.1
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 16800
Other
  • Descrição
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Tempos / Velocidade do relógio
    no data left arrow no data
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    786 left arrow 2318

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM

takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Inmos + 256MB Comparações de RAM

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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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