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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Inmos + 256MB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Inmos + 256MB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Inmos + 256MB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
11.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Inmos + 256MB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
104
Por volta de -247% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
2,404.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
16800
6400
Por volta de 2.63 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Inmos + 256MB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
11.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
9.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
16800
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2318
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Inmos + 256MB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Inmos + 256MB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
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