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Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
44
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
44
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
11.6
Speicherbandbreite, mbps
21300
25600
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2264
2191
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