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Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
比較する
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
総合得点
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
総合得点
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
39
44
周辺 11% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.5
14.9
テスト平均値
考慮すべき理由
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
11.6
11.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
21300
周辺 1.2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
39
44
読み出し速度、GB/s
15.5
14.9
書き込み速度、GB/秒
11.5
11.6
メモリ帯域幅、mbps
21300
25600
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2191
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