Confronto tra le RAM Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB

Punteggio complessivo

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

39 44

Intorno 11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

15.5 14.9

Valore medio nei test

Motivi da considerare
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB

Velocità di scrittura più elevata, GB/s

11.6 11.5

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 21300

Intorno 1.2 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2264 2191

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns