Comparación de la memoria RAM Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB

Puntuación global

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

39 44

En 11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

15.5 14.9

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB

Mayor velocidad de escritura, GB/s

11.6 11.5

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 21300

En 1.2 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2264 2191

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns