RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
45
Rund um -15% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
12.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
3000
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link