RAM-Vergleich Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Gesamtnote

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

13 10.5

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

8.2 8.1

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

35 44

Rund um -26% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 12800

Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2069 1998

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns