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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
比較する
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
総合得点
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
13
10.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.2
8.1
テスト平均値
考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
44
周辺 -26% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
44
35
読み出し速度、GB/s
13.0
10.5
書き込み速度、GB/秒
8.2
8.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2069
1998
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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