RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.2
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
44
Около -26% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.0
10.5
Скорость записи, Гб/сек
8.2
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2069
1998
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link