RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
44
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21
13
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.7
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.0
21.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
17.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2069
3987
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link