Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Gesamtnote
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Unterschiede

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.3 left arrow 8.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.0 left arrow 5.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 10600
    Rund um 1.21% höhere Bandbreite
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    30 left arrow 45
    Rund um -50% geringere Latenzzeit

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    45 left arrow 30
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.3 left arrow 8.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.0 left arrow 5.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1992 left arrow 1344
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RAM 1
RAM 2

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