RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.3
8.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
5.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
45
Intorno -50% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
45
30
Velocità di lettura, GB/s
12.3
8.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
5.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
10600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
1344
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Mushkin 991586 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link