Porównanie pamięci RAM Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Wynik ogólny

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

12.3 8.8

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

8.0 5.6

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

12800 10600

Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

30 45

Wokół strony -50% niższe opóźnienia

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1992 1344

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns