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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

総合得点
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.3 left arrow 8.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.0 left arrow 5.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21% 高帯域
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 45
    周辺 -50% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 8.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 5.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1992 left arrow 1344

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