RAM-Vergleich Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1D 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1D 2GB

Gesamtnote

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1D 2GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

28 43

Rund um -54% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

11.6 11

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

8.1 7.2

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1D 2GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1393 1635

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns