Comparación de la memoria RAM Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1D 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1D 2GB

Puntuación global

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1D 2GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

28 43

En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

11.6 11

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

8.1 7.2

Valor medio en las pruebas

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1D 2GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1393 1635

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns