Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1D 2GB

総合得点

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

総合得点

ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1D 2GB

ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1D 2GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

考慮すべき理由
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

バグを報告する

ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1D 2GB

考慮すべき理由
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1D 2GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

28 43

周辺 -54% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

11.6 11

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

8.1 7.2

テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1D 2GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

43 28
読み出し速度、GB/s

11.0 11.6
書き込み速度、GB/秒

7.2 8.1
メモリ帯域幅、mbps

10600 10600

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1393 1635

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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