Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB

Gesamtnote
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Gesamtnote
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB

Unterschiede

  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    17.7 left arrow 16.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    13.7 left arrow 12.7
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    22 left arrow 22
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    17.7 left arrow 16.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.7 left arrow 13.7
  • Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    3075 left arrow 3139
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche