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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
総合得点
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
総合得点
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
17.7
16.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
13.7
12.7
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
22
22
読み出し速度、GB/s
17.7
16.9
書き込み速度、GB/秒
12.7
13.7
メモリ帯域幅、mbps
21300
21300
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
3075
3139
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB RAMの比較
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
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Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
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