Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    17.7 left arrow 16.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.7 left arrow 12.7
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    22 left arrow 22
  • Скорость чтения, Гб/сек
    17.7 left arrow 16.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.7 left arrow 13.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    21300 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Тайминги / частота
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    3075 left arrow 3139
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения