RAM-Vergleich Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB vs Kingston KF548C38-16 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB vs Kingston KF548C38-16 16GB

Gesamtnote

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

20.5 14.8

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

15.5 12.8

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 19200

Rund um 1.33% höhere Bandbreite

Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KF548C38-16 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

29 31

Rund um -7% geringere Latenzzeit

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Kingston KF548C38-16 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 38
Timings / Taktgeschwindigkeit

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz no data / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

3649 3319

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns