Comparación de la memoria RAM Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB vs Kingston KF548C38-16 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB vs Kingston KF548C38-16 16GB

Puntuación global

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

20.5 14.8

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

15.5 12.8

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 19200

En 1.33% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
Kingston KF548C38-16 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

29 31

En -7% menor latencia

Lista completa de especificaciones técnicas

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Kingston KF548C38-16 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 38
Tiempos / Velocidad del reloj

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz no data / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

3649 3319

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns