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Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB vs Kingston KF548C38-16 16GB

総合得点
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Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

総合得点
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Kingston KF548C38-16 16GB

Kingston KF548C38-16 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB 考慮すべき理由
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20.5 left arrow 14.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 12.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 19200
    周辺 1.33% 高帯域
Kingston KF548C38-16 16GB 考慮すべき理由
Kingston KF548C38-16 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 31
    周辺 -7% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR5
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    31 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    20.5 left arrow 14.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    15.5 left arrow 12.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 left arrow PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 38
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow no data / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    3649 left arrow 3319

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB RAMの比較

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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
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SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
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Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
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Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
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Inmos + 256MB
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Kingston KVT8FP-HYC 4GB
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Kingston 9965596-019.B01G 4GB
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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