RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
77
Rund um -175% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
1,884.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,936.9
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,884.0
10.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
564
2179
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link