SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Puntuación global
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    2 left arrow 13.8
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    28 left arrow 77
    En -175% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    10.1 left arrow 1,884.0
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 6400
    En 2.66 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    77 left arrow 28
  • Velocidad de lectura, GB/s
    2,936.9 left arrow 13.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,884.0 left arrow 10.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    564 left arrow 2179
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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