RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Porównaj
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
77
Wokół strony -175% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
1,884.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,936.9
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,884.0
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
564
2179
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link