SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    2 left arrow 13.8
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    28 left arrow 77
    Intorno -175% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    10.1 left arrow 1,884.0
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 6400
    Intorno 2.66 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    77 left arrow 28
  • Velocità di lettura, GB/s
    2,936.9 left arrow 13.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,884.0 left arrow 10.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    564 left arrow 2179
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti