SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Gesamtnote
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Gesamtnote
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Unterschiede

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    2 left arrow 15.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    24 left arrow 77
    Rund um -221% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.1 left arrow 1,884.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 6400
    Rund um 3 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    77 left arrow 24
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    2,936.9 left arrow 15.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,884.0 left arrow 12.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    564 left arrow 2852
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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