RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gesamtnote
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
43
Rund um 5% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Rund um 1.21% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
41
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
11.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
7.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1484
1393
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link