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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
比较
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
总分
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
总分
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
43
左右 5% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.2
7.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
41
43
读取速度,GB/s
10.1
11.0
写入速度,GB/s
7.1
7.2
内存带宽,mbps
12800
10600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
1484
1393
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM的比较
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB RAM的比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
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G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
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Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
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