RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
30
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
12800
Rund um 1.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.3
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
12.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
23400
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1605
2709
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link