RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
68
Rund um -143% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
1,670.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,554.9
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,670.7
13.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
513
3317
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link