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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gesamtnote
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
50
76
Rund um 34% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
1,457.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
76
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,757.3
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,457.4
7.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
557
1718
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAM-Vergleiche
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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