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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
比較する
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
総合得点
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
総合得点
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
50
76
周辺 34% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
3
14.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
7.7
1,457.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
50
76
読み出し速度、GB/s
3,757.3
14.4
書き込み速度、GB/秒
1,457.4
7.7
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
557
1718
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAMの比較
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
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