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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Punteggio complessivo
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
50
76
Intorno 34% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
1,457.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
76
Velocità di lettura, GB/s
3,757.3
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,457.4
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
557
1718
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
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