RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
76
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
76
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
1718
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link