RAM-Vergleich takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

Gesamtnote

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

3 16.4

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

19 50

Rund um -163% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

14.9 1,457.4

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 6400

Rund um 3.33 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

557 3521

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns